春节假期临近，一则"内存价格闪崩"的消息在市场上不胫而走，引发广泛关注。与此同时，北美市场存储巨头股价也出现高位回调。究竟是趋势性拐点来临，还是上涨途中的正常回调？证券时报记者近日实地探访深圳华强北市场，试图还原存储市场的真实图景。
一线实探：回调有限，炒作心态收敛
临近春节，华强北已有不少柜台提前歇业。对于近期市场传闻的DDR4部分规格最高降价20%，多位商家向记者表示实际回调幅度十分有限。
"DDR4从去年底到现在涨了五六倍，现在只是跌个十几块、几十块。像DDR4有的型号还是要1800元，比黄金都贵。"一位商户向记者坦言。还有商家表示，部分DDR规格甚至拿不到货，只能先给个报价，"如果电脑还能用，内存还是别换了。"
据深圳华强北现货市场反馈，主流DDR4内存产品价格较2025年峰值回落约10%-20%，但现价仍维持在高位。"最近电脑内存（PC DDR）热度下去了，基本维持着去年12月份的价格。"一位存储代理商向记者表示，内存价格回调主要是临近春节，厂商需要回笼资金，但有海外客户订单支撑，回调空间有限。
相比之下，闪存市场则呈现出"补涨"行情。该代理商透露，NAND原厂甚至提出涨幅价格翻倍，eMMC也大幅涨价。但由于手机厂商砍单，自己好多客户亏钱做生意，仅为维持运营。
有商家分析，除了节前资金回笼因素外，市场也存在一定的避险心态："今年春节有9天假，谁知道这期间会不会发生什么变化呢？毕竟存储已经涨价这么久了。"
传导效应：电脑终端步入涨价通道
作为DDR需求大户，电脑终端已走上涨价通道。有厂商表示已涨价5%，有的商家预计涨价10%-20%，主要以中低端价格笔记本电脑为主，高端品类价格基本维持稳定。
"现在除了存储涨价外，显卡、屏幕也都在涨价。"一位头部品牌电脑商向记者明确表示，节后将提价，最高涨幅达33%，游戏本最高要涨价千元。
在日前联想集团业绩交流会上，联想集团董事长兼CEO杨元庆坦言，消费电子产业存储挑战仍在继续。初步测算，上个季度存储等成本环比增长40%以上，2026年第一季度，此类成本增长甚至可能翻倍。应对存储压力，公司也将"随行就市"，做好供应保障。
库存方面，有行业分析师预估，经过数月大幅提价之后，低价库存被持续消耗，存储成品价格越发易涨难跌。目前上游NAND资源价格仍未有止扬信号，存储厂商多以成本管控为主，谨慎接单。但当存储产品价格突破某一临界点，恐将引发更多客户的抵触。
原厂谋变：颠覆季度议价传统，引入动态定价
据CFM闪存市场统计，2025年DRAM/NAND Flash市场规模历史上首次突破2000亿美元，同比增长32.7%至2215.91亿美元。在这一轮超级周期中，国际存储大厂正在谋求更大的交易话语权。
在最新业绩说明会上，闪迪首席执行官戴维·V·戈克勒称，要颠覆传统"季度议价"的交易模式。据ETNews报道，三星、SK海力士和美光等存储巨头正计划引入"后结算"条款——即使在供货结束后，供应商仍可根据市场价格调整收款。这标志着存储行业可能从传统的固定价格模式向动态定价机制的根本性转变。
举例而言，若DRAM合同价为100韩元，一年后市场价翻倍，客户需额外支付100韩元差价。行业消息人士预计，这种有利于供应商的合同条款至少将持续到2026年下半年，因存储芯片价格涨势预计将持续。即便是苹果这样拥有巨大采购规模的科技巨头也无法避免冲击，其2026年上半年后的存储采购价格仍存在进一步上涨空间。
在供应有限的情况下，主要存储制造商还在收紧控制措施。日经亚洲报道，美光、SK海力士和三星正在严格审查客户订单，要求披露最终客户和订单量，以防止囤货或超额预订进一步扰乱市场。
供需研判：卖方市场格局延续，扩产缓不济急
当前存储市场的供给状况依旧支撑涨价周期。据统计，由于库存水位持续走低，三星、SK海力士、闪迪等原厂对位元出货量预期普遍下调。三星电子高管展望2026年一季度指出，预计市场将延续强劲势头，但考虑到库存水平显著偏低，DRAM bit出货量增长将仅限于低个位数百分比区间，NAND bit出货量将以中等个位数百分比增长。
在2月20日举行的虚拟投资者会议上，SK海力士向高盛释放了更为强烈的信号。公司透露，目前DRAM及NAND库存仅剩约4周，且没有任何客户能完全满足需求。随着2026年HBM产能售罄，标准型DRAM的极度短缺正显著提升供应商议价权。
高盛最新研究报告指出，未来两年全球记忆体市场的缺货幅度可能远高于市场先前预期，2026年与2027年全球DRAM将分别出现约4.9%与2.5%的供需缺口，其中2026年被形容为近15年来最紧张的一年。需求快速上升的主因，来自AI服务器建置带动的记忆体使用量激增。
有头部电子元器件分销厂商向记者分析，电子元器件等产品通常以3-5年为一个周期，过往涨价的持续时间通常不会超过3个季度；而决定存储价格起伏的核心因素还在于原厂扩产节奏。
结合国际存储原厂最新财报，提高资本开支强度成为普遍选择，美光科技除了自建厂商外收购成熟晶圆厂、提高成熟制程DRAM供应。但"远水难解近渴"，而且原厂即便显著提高资本开支，也是高度绑定利润更丰厚的数据中心需求。
集邦咨询分析师许家源预计，供应商在原有扩产规划之外的扩产，最早预期到2027年下半年才有望落地，难以缓解当前行业供不应求的局面。
不过，晶圆制造厂商给出了更快的扩产落地预期。谈及当前存储市场供给短缺，中芯国际高管在2月11日接受机构调研时预计："可能9个月到一年的时间，三季度可能会有一些反转。"据分析，数据中心客户的需求锚定未来十年的量，短时期间难以满足，预计缺货会在未来几年内持续；而新建晶圆厂建设速度是比较快的，可以很快做存储器的晶圆，应用到中低端手机、电脑等存储器需求，而且产能上量后会倒逼中间商释放存货。
国产力量：加速扩产，全球份额持续攀升
在本轮存储超级周期下，国产原厂正在乘势加速扩产。宏碁董事长陈俊圣此前向媒体表示，存储器价格大涨缓解点需观察中国大陆DDR5产能何时开出，一旦实现量产，市场很快就会出现反转。
国产DRAM存储大厂长鑫科技增资去年12月底获科创板预先审阅，拟募资295亿元，用于存储器晶圆制造量产线技术升级改造等项目，预计2026年出货量将持续增长。据Omida统计，长鑫科技的全球市场份额已增至3.97%，成为中国第一、全球第四的DRAM厂商。
另据《长江日报》今年1月报道，国产NAND存储大厂长江存储三期项目计划今年投产，当前三期项目正在安装巨型洁净厂房设备。资料显示，长江存储新建的"国家存储器基地项目"总投资240亿美元，规划产能为360万片/年，分三期建设。
爱建证券分析，按照常规NAND项目建厂及产线爬坡2-3年周期，长江存储三期项目原本需至2027年可实现稳定量产。当前项目已进入洁净厂房设备安装阶段，且设备导入调试并行推进，有望压缩整体建设与爬坡周期，三期量产节点有望提前至2026下半年。据报道，Counterpoint统计数据显示，长江存储NAND的全球出货量占比在2025年第一季度首次突破10%，去年第三季度已提升至13%。
据《日经亚洲》报道，长鑫存储正在上海扩建工厂，新增总产能将达到其合肥总部基地的两至三倍。上海新厂将生产面向服务器、计算机、汽车电子及其他电子产品的DRAM，设备安装计划于2026年下半年启动，2027年正式投产；同时，该公司还在上海扩建高带宽存储器（HBM）生产线。
与此同时，长江存储也在当地建设第三座工厂，计划于2027年投产。据消息人士透露，长江存储已明确新厂产能规划，除生产NAND外，50%产能将用于DRAM制造；同时还将与本土存储封装企业合作，为人工智能计算场景研发生产HBM。
随着国产存储产能加速扩产，半导体设备厂商已经逐步兑现业绩。中微公司介绍，由于先进逻辑器件和存储器件制造中关键刻蚀工艺的高端产品新增付运量显著提升，2025年公司预计归母净利润20.8亿元至21.8亿元，同比增长约28.74%至34.93%；测试设备厂商长川科技也预计去年实现盈利翻倍增长。
市场格局：国际客户投来"橄榄枝"
国际消费电子客户已经向国产存储原厂投来"橄榄枝"。据悉，惠普、戴尔、宏碁、华硕四大主流PC厂商，正首次将中国大陆内存芯片纳入采购考量范围。
ODM厂商酷赛智能负责人此前向记者表示，国产存储芯片技术与产能正在提升，已经能够满足部分场景需求，主要在国内服务器、手机品牌等多个场景实现规模化应用；ODM厂商正以保障供应为核心，积极探索与国产存储芯片的合作。
对于本轮存储涨价的持续性，国产存储厂商佰维存储方面向记者表示，本轮存储周期与AI强相关，业界普遍预期将持续较长时间，但供需边际变化可能带来阶段性波动。公司整体长期看好AI对存储需求的持续驱动。
从更宏观的视角来看，高盛认为，在AI需求高度集中、产能扩张弹性有限的情况下，即使价格持续走高，终端需求受到的抑制仍相对有限，显示存储器产业的低价循环恐已告一段落。随着2026年HBM产能售罄，标准型DRAM的极度短缺正显著提升供应商议价权，产业链已开启长期合约谈判以锁定未来供应。在AI需求爆发与供应瓶颈的共振下，存储芯片正全面进入"卖方市场"。